继三星电子(Samsung Electronics Co.)之后的全球第二大内存芯片制造商SK海力士(SK Hynix Inc.)正在大幅增加在DRAM设备上的资本支出，以提高先进芯片的产量。该公司押注于DRAM行业即将出现好转。
据知情人士周四透露，SK海力士已拨出10万亿韩圆(合76亿美元)用于明年的设备投资，较今年预计的6万亿至7万亿韩圆的资本支出增长43%至67%。
行业观察人士预计，该公司2024年的设备支出将与今年的水平相似。
2024年增加的大部分支出将用于建设高带宽存储器3 (HBM3)、DDR5和LPDDR5等先进DRAM芯片的设施。
该公司还将投入巨资升级HBM芯片制造和加工技术，称为通硅通孔(TSV)。
然而，消息人士称，SK海力士计划限制NAND闪存芯片的支出，该市场预计将在明年上半年继续保持疲软。
SK海力士有关人士拒绝透露2024年设备投资规模。
截至9月末，三星电子的可兑现资产为8.53万亿韩元，负债比率为84.8%，处于较低水平。
2024年HBM芯片销售满额，2025年销量洽谈中
SK海力士副总经理兼DRAM营销负责人朴明秀(音)在上个月举行的第三季度业绩电话会议上表示，明年向客户销售HBM3和升级版HBM3E芯片的计划已经全部预定。
他说:“我们已经在与客户和合作伙伴就2025年这种先进DRAM芯片的销量进行谈判。”
HBM3是继HBM、HBM2和HBM2E之后的第四代DRAM存储器。HBM3E是HBM3的扩展版，是第五代DRAM内存。
HBM是一种高价值的高性能存储器，可垂直互连多个DRAM芯片，与早期的DRAM产品相比，可显着提高数据处理速度。
HBM系列DRAM的需求正在增长，因为它可以为运行在高性能计算系统上的生成人工智能设备提供动力。
尽管SK海力士在7 - 9月期间连续第四个季度亏损，但该公司高管表示，他们预计在人工智能芯片的推动下，DRAM业务即将出现好转。
该公司表示，随着生成式人工智能能力的快速提高，预计未来5年其HBM芯片的销量将以平均每年60-80%的速度增长。
另一方面，它对NAND闪存的前景持谨慎态度，由于客户库存仍然很高，NAND闪存已经亏损了数十亿美元。
sk海力士与三星在HBM的竞争日益激烈
上个月，SK海力士联席首席执行长郭鲁中(Kwak Noh-jung)说，如果SK海力士成为特种DRAM产品的领军企业，特别是在人工智能时代，该公司将有能力超越内存领域的领军企业三星(Samsung)。
在HBM DRAM领域，SK海力士多年来一直处于领先地位。
该公司于2013年成为第一家开发第一代HBM芯片的内存供应商，并在随后的几年中推出了后续产品- HBM2, HBM2E以及最新和第四代HBM3芯片。
SK于今年4月表示，已开发出世界上最大的12层24gb内存HBM3 DRAM产品。
今年8月，该公司推出了业界性能最佳的人工智能DRAM芯片HBM3E，并向客户英伟达公司提供了样品进行性能评估。
据市场调查机构TrendForce透露，以2022年为基准，SK海力士以50%的市场占有率占据了HBM市场的首位，三星电子(40%)、美光科技(10%)紧随其后。
三星反击
三星也在斥巨资扩建其HBM芯片工厂。
三星电子计划在2024年将HMB芯片的产量提高到今年的两倍以上。
本月早些时候，三星以105亿韩元的价格从子公司三星显示器公司(Samsung Display Co.)购买了大楼和设施，以扩大其HBM芯片的生产。
据TrendForce预测，到2027年，全球HBM市场将从今年的39亿美元增长到89亿美元。HBM芯片比商品化的DRAM芯片至少贵五倍。
随着最近DRAM价格的整体回升，SK海力士有望在明年扭亏为盈。
TrendForce数据显示，10月DRAM合约价格报1.5美元，较上月上涨15.4%。
市场普遍预测SK海力士2024年的营业利润为8.44万亿韩元，而今年的营业亏损预计为8.43万亿韩元。
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